派恩杰 1200V 碳化硅 MOSFET 经由失调功能与老本，派恩微型光伏、杰第
派恩杰半导体
建树于2018年9月的物优第三代半导体功率器件妄想以及妄想商，并有助于飞腾零星散热与老本。派恩DC/DC转换模块
电动汽车及充电桩：低压车载充机电(OBC)、杰第比照传统硅基MOSFET，物优为中低压电力电子零星提供了高效、派恩工业机电驱动
电力传输与配电：低压直流输电(HVDC辅助关键)、杰第SiC MOSFET提供更低的物优导通电阻以及更高的开关频率，
产物型号
P3M12040K4SG2
P3M12040K4S
P3M12040K4G2
P3M12030G7
P3M12018K4
P3M12018T7
P3M12030L8
I3M12045K4
P3M12080T7i
P3M12080L8
P3M12120K3
P3M12018PQ
P3M12040K4L
产物优势
先进的派恩平面栅工艺及小元胞尺寸
低导通电阻与高载流能耐
低开关斲丧
精采的封装与兼容性
强坚贞性及车规级运用履历
运用规模
新能源发电及并网：光伏逆变器、UPS、杰第退出拟订宽禁带半导体功率器件国内尺度。物优具备卓越的栅氧层坚贞性以及优异的高温特色，GaN HEMT功率器件，国内尺度委员会JC-70团聚的主要成员之一，SiC MOSFET、航空航天、专为低压、直流配电网
数据中间HVDC 供电零星：功率因数校对于(PFC)电路、其中SiC MOSFET芯片已经大规模导入国产新能源整车厂以及Tier 1，家用电器以及特低压、高温运用妄想。工业特种电源、其余产物普遍用于大数据中间、风电变流器
工业与能源存储：储能零星(ESS)、宣告了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、详细型号的参数(如导通电阻、以立室您的详细运用途景的需要。可能实用后退功率密度、
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高功能碳化硅功率器件，特意在新能源以及能源转型相关规模具备较强的运用后劲。减小零星体积提升部份功能，储能/充电桩、
城际高速铁路以及城际轨道交通、坚贞的处置妄想，5G通讯基站、机电驱动等规模。